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RN4911	文件：177.73 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications •IncludeingtwodevicesinUS6(ultrasuperminitypewith6leads) •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN4911FE	文件：286.56 Kbytes Page：6 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitand DriverCircuitApplications •TwodevicesareincorporatedintoanExtreme-Super-Mini(6-pin) package. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. Reducingthepartscountenablesthemanufactureofeve	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN4911FE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1; Collector Current (Q1) IC -0.1 A \nCollector Current (Q2) IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V \n; Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP + NPN\nInternal Connection：2-in-1 (Point-symmetrical)\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
SC4911	文件：217.58 Kbytes Page：14 Pages	Bias/PrimarySidePWMControllerwithUltraLowStart-upCurrent	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
SC4911IMSTR	文件：217.58 Kbytes Page：14 Pages	Bias/PrimarySidePWMControllerwithUltraLowStart-upCurrent	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
SC4911IMSTRT	文件：217.58 Kbytes Page：14 Pages	Bias/PrimarySidePWMControllerwithUltraLowStart-upCurrent	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH

技术参数

Package name：
SOT-563 (ES6)
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.55
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Polarity：
PNP + NPN
Internal Connection：
2-in-1 (Point-symmetrical)
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q1VCEO (Max)(V)：
-50
Q1IC (Max)(A)：
-0.1
Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q2VCEO (Max)(V)：
50
Q2IC (Max)(A)：
0.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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