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RN2906	文件：277.8 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications •IncludingtwodevicesinUS6(ultrasuperminitypewith6leads) •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess •ComplementarytoRN1901~RN1906	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2906AFS	文件：178.38 Kbytes Page：8 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications •Twodevicesareincorporatedintoafine-pitch,small-mold(6-pin) package. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducesthepartscount. Reducingthepartscountenablesthemanufactureofever	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2906FE	文件：561.61 Kbytes Page：8 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications •TwodevicesareincorporatedintoanExtreme-Super-Mini(6-pin) package. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. Reducingthepartscountenablesthemanufactureofevermore	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2906FS	文件：177.2 Kbytes Page：8 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications •Twodevicesareincorporatedintoafinepitchsmallmold(6-pin) package. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. Reducingthepartscountenablesthemanufactureofevermore	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SP2906AF	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches	RAYTHEONRaytheon Company. 雷神	RAYTHEON
SP2906AQD	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches	RAYTHEONRaytheon Company. 雷神	RAYTHEON
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SP2906QDB	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches	RAYTHEONRaytheon Company. 雷神	RAYTHEON

晶体管资料

型号：
RN2906
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
H-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

详细参数

型号：
RN2906
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process)

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