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RN2705	文件：259.6 Kbytes Page：7 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：259.6 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2705JE	文件：103.69 Kbytes Page：4 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：103.69 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2705JE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP×2\nInternal Connection：2-in-1 (Common emitter)\nComplementary Product：RN1705JE\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC -0.1 A \nCollector Current (Q2) IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RSZ-2705	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output 文件：89.09 Kbytes 页数：2 Pages	RECOM	RECOM
RSZ-2705HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output 文件：89.09 Kbytes 页数：2 Pages	RECOM	RECOM
U2705	文件：193.8 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：193.8 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package name：
SOT-553 (ESV)
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.55
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Polarity：
PNP x 2
Internal Connection：
2-in-1 (Common emitter)
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
2.2
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q1VCEO (Max)(V)：
-50
Q1IC (Max)(A)：
-0.1
Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
2.2
Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q2VCEO (Max)(V)：
-50
Q2IC (Max)(A)：
-0.1

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