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TF2009	文件：306.85 Kbytes Page：2 Pages	ThickFilmResistors	Riedon Riedon Powertron	Riedon
TR2009SF	文件：403.64 Kbytes Page：7 Pages	RECTIFIERDIODE FEATURES ■DoubleSideCooling ■HighSurgeCapability APPLICATIONS ■Rectification ■FreewheelDiode ■DCMotorControl ■PowerSupplies ■Welding ■BatteryChargers	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
TUA2009X	文件：576.68 Kbytes Page：16 Pages	VHFI/VHFII/UHF-TunerIC Features ●Fewexternalcomponents ●Frequencyandamplitude-stableunbalancedoscillatorfortheVHFI-frequencyrange ●Frequencyandamplitude-stablebalancedoscillatorsfortheVHFII-andUHF-frequencyrange ●Optimumdecouplingofinputfrequencyfromoscillator ●Doublebalancedmixer	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
TUA2009XS	文件：576.68 Kbytes Page：16 Pages	VHFI/VHFII/UHF-TunerIC Features ●Fewexternalcomponents ●Frequencyandamplitude-stableunbalancedoscillatorfortheVHFI-frequencyrange ●Frequencyandamplitude-stablebalancedoscillatorsfortheVHFII-andUHF-frequencyrange ●Optimumdecouplingofinputfrequencyfromoscillator ●Doublebalancedmixer	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
UPG2009TB	文件：547 Kbytes Page：9 Pages	L,S-BandHIGHPOWERSPDTSWITCH DESCRIPTION NECsUPG2009TBisaL,S-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)GaAsFETswitchfordigitalcellularorcordlesstelephoneapplication.Thedevicecanoperatefrom500MHzto2.5GHz,withlowinsertionlossandhighisolation. FEATURES •LOWINSERTIONLOSS: 0.25dBTYP.@Vcont1	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2009TB	文件：134.62 Kbytes Page：8 Pages	NECsL,S-BAND4WSPDTSWITCH DESCRIPTION TheµPG2009TBisanL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)GaAsFETswitchwhichwasdevelopedfordigitalcellularorcordlesstelephoneapplication.Thedevicecanoperatefrom500MHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolationby2.8Vcontrolvoltage. FEATURES	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2009TB	文件：86.16 Kbytes Page：10 Pages	L-BANDHIGHPOWERSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2009TB	文件：207.87 Kbytes Page：12 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowinsertionloss:LINS=0.25dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=1.0GHz LINS=0.30dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=2.0GHz •Highisolation:ISL=28dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=2.0GHz •Highpower:Pin(0.1dB)=34dBmTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=1.0GHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UTOUTCPSA2009	文件：159.07 Kbytes Page：6 Pages	Thin-FilmCascadableAmplifier10to2000MHz	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE
VP2009	文件：255.73 Kbytes Page：1 Pages	10/100/1000BASE-TXVOICEOVERIPMODULE	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND

详细参数

型号：
RN2009(F)
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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