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RM18	文件：71.98 Kbytes Page：3 Pages	500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts 500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts Features • Low Cost • Low Leakage • Low Forward Voltage Drop • High Current Capability • High Voltage x Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 文件：71.98 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
RM1800E	文件：71.98 Kbytes Page：3 Pages	500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts 500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts Features • Low Cost • Low Leakage • Low Forward Voltage Drop • High Current Capability • High Voltage x Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 文件：71.98 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
RM180N100AHD	文件：636.04 Kbytes Page：9 Pages	丝印：180N100；Package：TO-263；100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching Enhanced Body diode dv/dtcapability 100% UIS tested 100% Rg Tested Pb-free lead plating 文件：636.04 Kbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM180N100AT2	文件：636.04 Kbytes Page：9 Pages	丝印：180N100；Package：TO-220；100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching Enhanced Body diode dv/dtcapability 100% UIS tested 100% Rg Tested Pb-free lead plating 文件：636.04 Kbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM180N100AT2V	文件：932.81 Kbytes Page：7 Pages	丝印：180N100；Package：TO-220；100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching Enhanced Body diode dv/dtcapability 100% UIS tested, 100% Rg Tested Pb-free lead plating 文件：932.81 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM180N100AT7	文件：636.04 Kbytes Page：9 Pages	丝印：180N100；Package：TO-247；100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching Enhanced Body diode dv/dtcapability 100% UIS tested 100% Rg Tested Pb-free lead plating 文件：636.04 Kbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM180N100T2	文件：395.76 Kbytes Page：7 Pages	丝印：180N100；Package：TO-220-3L；N-Channel Super Trench Power MOSFET General Features VDS =100V,ID =180A RDS(ON) 文件：395.76 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM180N30DFV	文件：2.21787 Mbytes Page：8 Pages	丝印：IN30；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mosfet Feature 30v,180A Rds on 文件：2.21787 Mbytes 页数：8 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM180N60DF	文件：279.5 Kbytes Page：5 Pages	丝印：180N60；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Super Trench Power MOSFET General Features Vds =60V,Ip =180A Rds(on 文件：279.5 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM180N60T2	文件：209.11 Kbytes Page：7 Pages	丝印：180N60；Package：TO-220-3L；N-Channel Super Trench Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =180A RDS(ON) 文件：209.11 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON

技术参数

VRM (V)：
1800
IFSM (A)：
30
IF (A)：
0.5
VF (V)：
2.0
IFM (A)：
0.5
TRR (μs)：
IR (μA)：
5.0
@VR (V)：
1800
Package Qty：
Tape&Reel
FIT：
40; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RM18供应商更新时间2025-10-4 16:31:00

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