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RK7002BM	文件：302.66 Kbytes Page：6 Pages	2.5V Drive Nch MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET Features 1) High speed switing. 2) Small package(SST3). 3) Low voltage drive(2.5V drive). Application Switching Structure Silicon N-channel MOSFET 文件：302.66 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RK7002BM	文件：1.02295 Mbytes Page：3 Pages	丝印：7002；Package：SOT23；60V N-Channel Mosfet ~Application Direct logic-level interface: TTL/CMOS Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers display, memories, transistors, etc. Battery operated systems Solid-state relays 文件：1.02295 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
RK7002BMHZG	文件：2.47908 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RKU；Package：SOT-23；Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET 文件：2.47908 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RK7002BM	文件：300 bytes Page：1 Pages	2.5V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •2.5V驱动型 Nch 小信号MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RK7002BMT116	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET
RK7002BMT116-ES	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	ElecSuper 静芯微	ElecSuper

技术参数

封装：
SOT-23
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-23
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
3
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
2.3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
2.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
3
Power Dissipation (PD)[W]：
0.2
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.4 (t=1.2)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RK7002BM供应商更新时间2025-10-10 14:00:00

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