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RJK6012DPP	文件：77.37 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.77Ωtyp.(atID=5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6012DPP-00-T2	文件：77.37 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.77Ωtyp.(atID=5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6012DPP-A0	文件：156.75 Kbytes Page：7 Pages	600V - 10A - MOS FET High Speed Power Switching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.77typ.(atID=5A,VGS=10V,Ta=25C) Lowleakagecurrent Highspeedswitching Qualitygrade:Standard	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6012DPP-E0	文件：87.18 Kbytes Page：7 Pages	600V - 10A - MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.77Ωtyp.(atID=5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6012DPP_10	文件：83.98 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6012DPP-00-T2	文件：83.98 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6012DPP7	文件：83.98 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6012DPP-E0_15	文件：87.18 Kbytes Page：7 Pages	600V - 10A - MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJL6012DPE	文件：171.37 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJL6012DPE	文件：84.24 Kbytes Page：7 Pages	600V-10A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
RJK6012DPP
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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