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RJK5014DPP-A0	文件：170.61 Kbytes Page：7 Pages	500V - 19A - MOS FET High Speed Power Switching Features  Low on-resistance RDS(on) = 0.325  typ. (at ID = 9.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C)  Low leakage current  High speed switching  Quality grade: Standard 文件：170.61 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK5014DPP-A0	文件：300 bytes Page：1 Pages	General-Purpose Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJL5014DPP-A0	文件：172.22 Kbytes Page：7 Pages	500V - 19A - MOS FET High Speed Power Switching Features  Built-in fast recovery diode  Low on-resistance RDS(on) = 0.32  typ. (at ID = 9.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C)  Low leakage current  High speed switching  Quality grade: Standard 文件：172.22 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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RJMG212K21225CR	文件：0 bytes Page：0 Pages	AMPHENOL RJ	AMPHENOL 安费诺上传：深圳市中利达电子科技有限公司	AMPHENOL

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更多RJK5014DPP-A0供应商更新时间2025-10-4 14:02:00