6A, 600V Hyperfast Diodes

The RHRD660 and RHRD660S are hyperfast diodes with soft recovery characteristics (trr Features • Hyperfast with Soft Recovery. . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Fairchild

仙童半导体

6A, 600V Hyperfast Diodes

The RHRD660 and RHRD660S are hyperfast diodes with soft recovery characteristics (trr Features • Hyperfast with Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Intersil

Fast Recovery Rectifier Diode

FEATURES ·Hyperfast with Soft Recovery ·Avalanche Energy Rated ·High surge capability APPLICATIONS ·Switching Power Supplies ·Power Switching Circuits

文件：405.58 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

6A, 600V Hyperfast Diodes

文件：844.1 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

6A, 600V Hyperfast Diodes

文件：553.47 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

6A，600V，超快速二极管

RHRD660S 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。 它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。 这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。 其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。 •超高速恢复，Trr = 35 ns（需 IF= 6 A）\n•最大正向电压，VF = 2.1 V（需 TC = 25°C）\n•600 V 反向电压和高可靠性\n•雪崩能量额定值\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

600V, 6A, 2.1V, DPAKHyperfast Diode

RHRD660S9A_F085 是带软恢复特性的超速二极管 (t rr < 30ns)。 它们的恢复时间是超快二极管的一半，并采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此器件在多种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/钳位整流器。 其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。以前的开发类型为 TA49057。 •具有软恢复特性的超快二极管。 . . . . . . . . . . . . . . . . . <30 ns\n•工作温度。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175 ℃\n•反向电压最高可达 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 V\n•雪崩能量额定值\n•平面结构\n•符合 AEC Q101\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3

ONSEMI

安森美半导体