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RFP4N06	文件：40.17 Kbytes Page：5 Pages	4A, 50V and 60V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.These	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
RFP4N06L	文件：35.71 Kbytes Page：5 Pages	4A, 50V and 60V, 0.800 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs TheRFP4N05LandRFP4N06LareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
MTM4N06L	文件：289.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTP4N06L	文件：300.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
PJW4N06A	文件：380.9 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
PJW4N06A-AU	文件：438.69 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@3A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
RFD4N06L	文件：351.77 Kbytes Page：5 Pages	4A,60V,0.600Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD4N06L,RFD4N06LSMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5volt)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplished	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
RFD4N06L	文件：38.37 Kbytes Page：5 Pages	4A,60V,0.600Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD4N06L,RFD4N06LSMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5volt)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplished	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
RFD4N06LSM	文件：351.77 Kbytes Page：5 Pages	4A,60V,0.600Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD4N06L,RFD4N06LSMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5volt)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplished	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
RFD4N06LSM	文件：38.37 Kbytes Page：5 Pages	4A,60V,0.600Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD4N06L,RFD4N06LSMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5volt)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplished	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社

详细参数

型号：
RFP4N06
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Harris Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RFP4N06供应商更新时间2024-4-28 16:29:00

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