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RFD14N06	文件：83.45 Kbytes Page：8 Pages	14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs 14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs These are N-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. 文件：83.45 Kbytes 页数：8 Pages	Intersil	Intersil
RFD14N06	文件：309.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：309.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RFD14N06	文件：960.45 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：960.45 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RFD14N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
RFD14N06L	文件：83.45 Kbytes Page：8 Pages	14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs 14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs These are N-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. 文件：83.45 Kbytes 页数：8 Pages	Intersil	Intersil
RFD14N06L	文件：309.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：309.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RFD14N06LSM	文件：299.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RFD14N06LSM	文件：83.45 Kbytes Page：8 Pages	14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs 14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs These are N-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. 文件：83.45 Kbytes 页数：8 Pages	Intersil	Intersil
RFD14N06SM	文件：299.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
RFD14N06
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Harris Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	RFD14N06	I	22+	TO-252	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多RFD14N06供应商更新时间2025-11-20 16:01:00

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