丝印：R30C；Package：SOT-23；50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VOLTAGE REFERENCE

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德州仪器

50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VOLTAGE REFERENCE

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BURR-BROWN

采用 3 引脚 SOT-23 封装的 2.5V、50ppm/°C、50µA 输入串联（带隙）电压基准

REF30xx 是采用微型 3 引脚 SOT-23 封装的精密、低功耗、低压降电压基准产品系列。REF30xx 提供出色的温漂和初始精度，具有 42µA（典型值）的静态电流。\n\n低功耗和相对较高的精度使得 REF30xx 非常适合环路供电式工业 应用 ，如压力和温度变送器 应用中，低功耗是一个关键问题。REF30xx 非常便于用在本安和防爆 应用 中，因为它无需负载电容器即可实现稳定。REF30xx 的额定工业温度范围为 –40°C 至 +125°C。\n\n在零负载条件下，REF30xx 由 1mV 输出电压范围的电源供电。工程师们可在便携式和电池供电类应用中充分发挥 REF30xx 系 • 微型封装：SOT-23-3\n• 低压降：1mV\n• 高输出电流：25mA\n• 高精度：0.2%\n• 低 IQ：42µA（典型值）\n• 出色的额定温漂性能： \n• 0°C 至 70°C 范围内为 50ppm/°C（最大值）\n• –40°C 至 +125°C 范围内为 75ppm/°C（最大值）;

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CMOS 电压参考，高精度，低漂移，2.5 V

REF30xx 系列电压参考提供了准确的电压调节，最大温度漂移 50 ppm/°C。REF30xx 可以源/汲最高 10 mA 的负载电流。它采用节省空间的 SOT-23 封装，适用于可以放弃使用输出旁路电容器的大多数应用。 • High Accuracy: 0.2%\n• Accurate Output Voltage\n• Low Quiescent Current: 30 A max\n• Low Power Consumption\n• Maximum 50 ppm/C Temperature Drift over the Specified Range of -40C to +85C\n• Stable Output Voltage\n• Reference Voltages:1.25 V, 2.048 V, 2.5 V, 3.0 V, 3.3 V, 4.096 V\n• High Output ;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：R30C；Package：SOT-23(DBZ)；REF30E and REF30, Low Current Voltage Reference in SOT-23-3

1 Features • Small industry standard footprint: SOT23-3 • High accuracy – REF30E: ±0.1% – REF30: ±0.2% • Excellent temperature drift performance: – REF30E: 20ppm/°C – REF30: 75ppm/°C • REF30E is drop-in replacement of REF30 • Low IQ (typical) – REF30E: 25μA – REF30: 42μA • High

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丝印：R30C；Package：SOT-23(DBZ)；REF30E and REF30, Low Current Voltage Reference in SOT-23-3

1 Features • Small industry standard footprint: SOT23-3 • High accuracy – REF30E: ±0.1% – REF30: ±0.2% • Excellent temperature drift performance: – REF30E: 20ppm/°C – REF30: 75ppm/°C • REF30E is drop-in replacement of REF30 • Low IQ (typical) – REF30E: 25μA – REF30: 42μA • High

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丝印：R30C；Package：SOT-23(DBZ)；REF30E and REF30, Low Current Voltage Reference in SOT-23-3

1 Features • Small industry standard footprint: SOT23-3 • High accuracy – REF30E: ±0.1% – REF30: ±0.2% • Excellent temperature drift performance: – REF30E: 20ppm/°C – REF30: 75ppm/°C • REF30E is drop-in replacement of REF30 • Low IQ (typical) – REF30E: 25μA – REF30: 42μA • High

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丝印：R30C；Package：SOT-23(DBZ)；REF30E and REF30, Low Current Voltage Reference in SOT-23-3

1 Features • Small industry standard footprint: SOT23-3 • High accuracy – REF30E: ±0.1% – REF30: ±0.2% • Excellent temperature drift performance: – REF30E: 20ppm/°C – REF30: 75ppm/°C • REF30E is drop-in replacement of REF30 • Low IQ (typical) – REF30E: 25μA – REF30: 42μA • High

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50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VOLTAGE REFERENCE

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50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VOLTAGE REFERENCE

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