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RD3H080SPFRA

丝印:RD3H080SP;Package:TO-252;Pch -45V -8A Power MOSFET

文件:2.62609 Mbytes 页数:15 Pages

ROHM

罗姆

RD3H080SP

丝印:DPAK;Package:TO-252;isc P-Channel MOSFET Transistor

文件:310.28 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

RD3H080SP

Pch -45V -8A Power MOSFET

文件:2.8112 Mbytes 页数:16 Pages

ROHM

罗姆

RD3H080SPFRA

Pch -45V -8A 车载功率MOSFET

RD3H080SPFRA是低导通电阻的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on - resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-252

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    -45

  • Drain Current ID[A]:

    -8

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.):

    0.105

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.095

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.065

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.105

  • Total gate charge Qg[nC]:

    9

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    15

  • Drive Voltage[V]:

    -4

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    6.6x10.0 (t=2.3)

  • Common Standard:

    AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多RD3H080SP供应商 更新时间2025-10-6 13:02:00