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RD09MUP2	文件：152.77 Kbytes Page：7 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor, 520MHz, 8W DESCRIPTION RD09MUP2 is a MOS FET type transistor specifically designed for UHF RF power amplifiers applications. FEATURES • High power gain: Pout>8W, Gp>10dB@Vdd=7.2V,f=520MHz • High Efficiency: 50min. (520MHz) • Integrated gate protection diode APPLICATION For output stage of high 文件：152.77 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD09MUP2	文件：148.66 Kbytes Page：8 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 520MHz, 8W 文件：148.66 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD09MUP2	文件：343.73 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 520MHz, 8W 文件：343.73 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD09MUP2	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD09MUP2	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD09MUP2_10	文件：148.66 Kbytes Page：8 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 520MHz, 8W 文件：148.66 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD09MUP2_11	文件：343.73 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 520MHz, 8W 文件：343.73 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

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