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RoHSCompliance,SiliconMOSFETPowerTransistor,175MHz,950MHz,4W | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | Mitsubishi | ||
RoHSCompliance,SiliconMOSFETPowerTransistor,175MHz,950MHz,4W DESCRIPTION RD04HMS2isMOSFETtypetransistorspecificallydesignedforVHF/UHF/890-950MHzRFpoweramplifiersapplications. FEATURES 1.HighPowergainandHighEfficiency Pout=5.0Wtyp.,Gp=14dBtyp. DrainEffi.=53typ. @Vds=12.5V,Pin=0.2W,f=950MHz 2.Integratedgateprotection | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | Mitsubishi |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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