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RCD080N25	文件：1.1605 Mbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 3) Wide range of SOA. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. Application Switching 文件：1.1605 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RCD080N25	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RCJ080N25	文件：631.7 Kbytes Page：14 Pages	Nch 250V 8.0A Power MOSFET 文件：631.7 Kbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RCJ080N25	文件：349.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RCX080N25	文件：296.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
250
Drain Current ID[A]：
8.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.225
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.225
Total gate charge Qg[nC]：
25.0
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RCD080N25供应商更新时间2025-10-4 10:11:00

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