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RC32112A	文件：2.92657 Mbytes Page：65 Pages	FemtoClock Jitter Attenuator and Clock Generator Features ▪Canbeconfiguredasclockgeneratororjitter attenuator/synchronizer ▪Lowpower,lessthan1.4Wtypical ▪Lowjitter,lessthan100fs-RMS ▪CompliantwithITU-TG.8262andG.8262.1 option1and2forsynchronousEthernet EquipmentClock(EEC/eEEC)withoutdegrading outputji	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ACV32112	文件：134.18 Kbytes Page：4 Pages	AUTOMOTIVELOWPROFILEMICRO-ISO/MICRO-280RELAY FEATURES •Lowprofile: 22.5mm(L)×15mm(W)×15.7mm(H).886inch(L)×.591inch(W)×.618inch(H) •Lowtemperaturerise Terminaltemperaturehasbeenreducedcomparedwithusingourconventionalproduct •Lowsoundpressurelevel Noiselevelhasbeenreducedapprox.10dBcom	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AMN32112	文件：449.94 Kbytes Page：8 Pages	Passiveinfraredhumandetectionsensorwithbuilt-inamp. FEATURES 1.SensingcircuitsenclosedinaTO5can Thehigh-densityembeddedcircuitdesigneliminatesexternalsensingcircuits.Advantagesincludereduceddevelopmentanddesignschedules. 2.Superlowcurrentconsumption Reductionofcurrentconsumptionallowsbatterylifetobeext	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AMN32112	文件：763.04 Kbytes Page：8 Pages	High-sensitivehumandetectionsensorwithbuilt-inamp. FEATURES 1.SensingcircuitsenclosedinaTO5can Thehigh-densityembeddedcircuitdesigneliminatesexternalsensingcircuits.Advantagesincludereduceddevelopmentanddesignschedules. 2.Superlowcurrentconsumption Reductionofcurrentconsumptionallowsbatterylifetobeext	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AMN32112	文件：449.94 Kbytes Page：8 Pages	Passiveinfraredhumandetectionsensorwithbuilt-inamp. FEATURES 1.Theworld’ssmallestwithabuilt-inamplifier Extremelycompact.Idealforusein miniaturizeddevices. 2.Duallenscolors(whiteandblack)areprovided Withanultrasmalldesignandduallens colors(whiteandblack),itisinconspicuous, allowingtheuserto	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AOCA32112E	文件：326.36 Kbytes Page：5 Pages	20VCommon-DrainDualN-ChannelMOSFET GeneralDescription •TrenchPowerMOSFETtechnology •LowRSS(ON) •WithESDprotectiontoimprovebatteryperformanceandsafety •Commondrainconfigurationfordesignsimplicity •RoHSandHalogen-FreeCompliant' Applications •Batteryprotectionswitch •Mobiledevicebatterychargi	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP32112	文件：802.78 Kbytes Page：12 Pages	TriCoreIncrementalEncoderInterfaceusingtheGeneralPurposeTimerUnit(GPTU)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
LTWTN-32112	文件：130.55 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesLT-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LTWTN-32112/Q	文件：130.55 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesLT-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LTWTN-32112/T	文件：130.55 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesLT-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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