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R6520KNX	文件：296.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6520KNX3	文件：2.29254 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6520KNX3；Package：TO-220AB；Nch 650V 20A Power MOSFET 文件：2.29254 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6520KNX3	文件：371.67 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.21Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：371.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6520KNX1	文件：305.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6520KNX	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 650V 20A 功率MOSFET R6520KNX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on-resistance\n• Ultra fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6520KNX1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 650V 20A Power MOSFET R6520KNX1 is Low on-resistance and ultra fast switching speed Power MOSFET. ·Low on-resistance.\n·Ultra fast switching speed.\n·Parallel use is easy.\n·Pb-free lead plating; RoHS compliant.;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-220FM
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220FM
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
650
Drain Current ID[A]：
20
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.185
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.185
Total gate charge Qg[nC]：
40
Power Dissipation (PD)[W]：
68
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
500
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)

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