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R6504KNJ	文件：299.51 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 4.0A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=650V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.05Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variatio 文件：299.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6504KNJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 650V 4A 功率MOSFET R6504KNJ是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on-resistance\n• Ultra fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6504KNX	文件：296.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 4.0A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=650V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.05Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variatio 文件：296.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RF6504	文件：677.61 Kbytes Page：8 Pages	3.3V TO 4.0V, 433MHz TO 470MHz TRANSMIT/RECEIVE FRONT END MODULE 文件：677.61 Kbytes 页数：8 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF6504SB	文件：677.61 Kbytes Page：8 Pages	3.3V TO 4.0V, 433MHz TO 470MHz TRANSMIT/RECEIVE FRONT END MODULE 文件：677.61 Kbytes 页数：8 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD

技术参数

封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
650
Drain Current ID[A]：
4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.955
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.955
Total gate charge Qg[nC]：
10
Power Dissipation (PD)[W]：
58
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
290
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x13.1 (t=4.7)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R6504KNJ供应商更新时间2025-10-12 13:02:00

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