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R5009ANX	文件：319.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.72Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：319.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R5009ANX	文件：274.2 Kbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：274.2 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R5009ANX	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET •4V驱动型 Nch 小信号MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
R5009FNJ	文件：3.37872 Mbytes Page：14 Pages	Nch 500V 9A Power MOSFET 文件：3.37872 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R5009FNJ	文件：350.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.84Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：350.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R5009FNX	文件：1.03305 Mbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：1.03305 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-220FM
包装数量：
500
最小独立包装数量：
500
包装形态：
Bulk
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-220FM
Package Size[mm]：
15.1x10.1 (t=4.6)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
500
Drain Current ID[A]：
9.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.55
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.55
Total gate charge Qg[nC]：
21.0
Power Dissipation (PD)[W]：
50.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R5009ANX供应商更新时间2025-10-24 14:16:00

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