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R1RW0408DGE-2LR集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

R1RW0408DGE-2LR
厂商型号

R1RW0408DGE-2LR

参数属性

R1RW0408DGE-2LR 封装/外壳为36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

功能描述

4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)

封装外壳

36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

文件大小

86.73 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 22:59:00

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产品属性

  • 产品编号:

    R1RW0408DGE-2LR#B1

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM

  • 存储容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    12ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    36-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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