R1LV0216BSB-5SI#S1_集成电路（IC）存储器-Renesas Electronics America Inc

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厂家型号：
R1LV0216BSB-5SI#S1
制造商：
Renesas Electronics America Inc
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-6-28 10:04:00

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原厂料号：R1LV0216BSB-5SI#S1品牌：Renesas Electronics America Inc

资料说明：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

R1LV0216BSB-5SI#S1是集成电路（IC） > 存储器。制造商Renesas Electronics America Inc生产封装44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）的R1LV0216BSB-5SI#S1存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
r1lv0216bsb-5si%23s1
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

产品属性

类型
描述
产品编号：
R1LV0216BSB-5SI#S1
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM
存储容量：
2Mb（128K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

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