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RQA0003DNS	文件：243.25 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features •HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+36dBm,LinearGain=19dB,PAE=65(f=520MHz) •SmallOutlinePackage(WSON0303-2:3.0×3.0×0.8mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQA0003DNSTR-E	文件：243.25 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features •HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+36dBm,LinearGain=19dB,PAE=65(f=520MHz) •SmallOutlinePackage(WSON0303-2:3.0×3.0×0.8mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RS0003	文件：199.8 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
RU0003H	文件：161.76 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
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SF-Z0003	文件：44.36 Kbytes Page：2 Pages	Crimphead	PhoenixPHOENIX CONTACT 菲尼克斯电气德国菲尼克斯电气集团	Phoenix
TM0003A	文件：7.43326 Mbytes Page：8 Pages	YourBestPartnerForFrequencyDevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW

更多R0003T供应商更新时间2025-5-22 16:52:00