| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨LFPAK-4 |
3500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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65400 |
23+ |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS(瑞萨)/IDTSC-100(SOT-669) |
25000 |
23+ |
全新、原装 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
ROHS环保 |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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RENESASLFPAK |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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RENESASLFPAK |
5000 |
2020+ |
原装现货/假一罚十/可开增票 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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RENESASLFPAK |
30000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
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LFPAK |
900000 |
21+ |
原装正品现货/订货 价格优惠 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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RENESAS/瑞萨LFPAK |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨NA/ |
1001 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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RENESASLFPAK |
32500 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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RENESASLFPAK |
669 |
0818+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
1062 |
21+ |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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RENESAS原厂原装 |
1305 |
360000 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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RENESAS/瑞萨LFPAK |
9852 |
2046+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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RENESAS/瑞萨LFPAK4 |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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LFPAKRENESAS |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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RenesasLFPAK |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Renesas(瑞萨)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
RJK032采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
RJK032图片
RJK0328DPB-01中文资料Alldatasheet PDF
更多RJK0323JPD制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
RJK0328DPB制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK0328DPB-00#J0功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RJK0328DPB-00-J0制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK0328DPB-01制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK0328DPB-01#J0功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RJK0329DPB制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK0329DPB-00#J0功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RJK0329DPB-01制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK0329DPB-01#J0功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
