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QS8J13	文件：2.77167 Mbytes Page：12 Pages	丝印：J13；Package：TSMT8；Small Surface Mount Package ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：2.77167 Mbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QS8J13	文件：300 bytes Page：1 Pages	-12V Pch+Pch 中功率MOSFET QS8J13是低导通电阻的中功率MOSFET。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。 · Low on - resistance.\n · Small Surface Mount Package (TSMT8).\n · Pb-free lead plating; RoHS compliant.\n · Halogen Free;	ROHM 罗姆	ROHM
SMB8J13	文件：394.32 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLAGE SUPPESSOR DIODE 文件：394.32 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
SMB8J13A	文件：549.095 Kbytes Page：2 Pages	800W 13V TVS transient suppressor diode 文件：549.095 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SMB8J13A	文件：549.785 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLAGE SUPPRESSOR DIODE 文件：549.785 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

技术参数

封装：
TSMT8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TSMT8
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-12
Drain Current ID[A]：
-5.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.015
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.029
Total gate charge Qg[nC]：
60
Power Dissipation (PD)[W]：
1.5
Drive Voltage[V]：
-1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
3x2.8 (t=0.85)

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更多QS8J13供应商更新时间2025-10-5 14:14:00

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