首页 >QM6008S>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs | UPI uPI Semiconductor Corp | UPI | ||
N-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
Nch600V8APowerMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
10VDriveNchMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
10VDriveNchMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
10VDriveNchMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
600V-6A-IGBTPowerSwitching Features Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.8Vtyp.(atIC=20A,VGE=15V,Tc=25C) Qualitygrade:Standard Highspeedswitching Applications:PFC | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
600V-10A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=2.65Vtyp.(IC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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