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PUMD6	文件：298.74 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k廓, R2 = open DESCRIPTION NPN/PNPresistor-equippedtransistors(see“_Data_Sheet_RemarkSupersedesdataof2003Nov04”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Lowcurrentperipher	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PUMD6	文件：297.97 Kbytes Page：8 Pages	Marking：D6；Package：SOT363；NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Lowcurrentperipheraldriver •Replacementofgeneralpurposetransistorsindigital applications •ControlofICinputs. DESCRIPTION NPN/PNP	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PUMD6	文件：136.32 Kbytes Page：8 Pages	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Lowcurrentperipheraldrivers •Replacementofgeneralpurposetransistorsindigital applications •ControlofICinputs. DESCRIPTION PNP/PN	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PUMD6	文件：52.56 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNP resistor-equipped transistor DESCRIPTION NPN/PNPresistor-equippedtransistorsinanSC-88(SOT363)plasticpackage. FEATURES •Transistorswithdifferentpolarity,eachwithabuilt-in biasresistorR1(typ.4.7kΩ) •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •Simplificationofcircuitdesign •Reducesnumber	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PUMD6	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PUMD6H	文件：264.81 Kbytes Page：14 Pages	Marking：7G；Package：TSSOP6；50 V, 100 mA NPN/PNP Resistor-Equipped double Transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open 1.Generaldescription NPN/PNPResistor-EquippeddoubleTransistor(RET)inaverysmallSOT363(SC-88)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PUMH7H PNP/PNPcomplement:PUMB3H 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PUMD6H-Q	文件：264.54 Kbytes Page：14 Pages	Marking：7G；Package：TSSOP6；50 V, 100 mA NPN/PNP Resistor-Equipped double Transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open 1.Generaldescription NPN/PNPResistor-EquippeddoubleTransistor(RET)inaverysmallSOT363(TSSOP6)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PUMH7H-Q PNP/PNPcomplement:PUMB3H-Q 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PUMD6
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANSISTOR DIGITAL DUAL SOT-363
功能描述：
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363
功能描述：
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363; Transistor
Polarity：
NPN, PNP; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
50V; Power Dissipation
Pd：
200mW; DC Collector
Current：
100mA; DC Current Gain
hFE：
200; Operating Temperature
Min：
-65C; Operating ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Dual N/P Transistor,4k7,SOT-363

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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