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PUMD14

NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kW, R2 = open

General description NPN/PNP resistor-equipped transistors Features ■ Built-in bias resistors ■ Simplifies circuit design ■ Reduces component count ■ Reduces pick and place cost Applications ■ Low current peripheral driver ■ Control of IC inputs ■ Replacement of general-purpose transistor

文件:77.12 Kbytes 页数:11 Pages

恩XP

恩XP

PUMD14

PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kW, R2 = open

Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place cost

文件:186.26 Kbytes 页数:11 Pages

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

PUMD14

Low VCEsat (BISS) transistors

文件:948.33 Kbytes 页数:12 Pages

PHI

飞利浦

PHI

PUMD3

NEXPERIA
原厂

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

上传:深圳市世正电子有限公司

PUMD3

PHILIPS
SOP

PHI

详细参数

  • 型号:

    PUMD14

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 DOUBLE RET

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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