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PUMB18	文件：723.97 Kbytes Page：15 Pages	Marking：B8；Package：SC-88；PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 10 k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PUMB18

文件：723.97 Kbytes

Page：15 Pages

Marking：B8；Package：SC-88；PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 10 k

Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PUMB18

文件：948.33 Kbytes

Page：12 Pages

Low VCEsat (BISS) transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

详细参数

型号：
PUMB18
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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