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PTY10HN08	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽型功率场效应管	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
PTZTE2524B	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOD-106	ROHM 罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM
PTZTE258.2B	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOD-106	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆

技术参数

工艺：
沟槽型
沟道类型：
单N
防静电ESD：
否
漏源耐压Vds(V)：
80.000
栅源耐压Vgs(V)：
±25
阈值电压Vth(V)TYP：
3.000
电流ID(A)：
100.000
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V：
7.8
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V：
0
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=2.5V：
0
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V：
0
规格书：
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