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PTFA181001F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1805 ??1880 MHz

文件:408.37 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

PTFA181001F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1805 – 1880 MHz

Infineon

英飞凌

PTFA181001FV4R250FTMA1

Package:2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2

Infineon

英飞凌

PTFA181001FV4XWSA1

Package:2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    PTFA181001F

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1805 – 1880 MHz

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
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SMD
5500
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更多PTFA181001F供应商 更新时间2026-1-8 10:29:00