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PTFA092211EL分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PTFA092211EL |
| 参数属性 | PTFA092211EL 封装/外壳为H-33288-2；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：FET RF LDMOS 220W H33288-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 920 ??960 MHz |
| 文件大小 |
424.31 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-27 15:34:00 |
PTFA092211EL规格书详情
PTFA092211EL属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。英飞凌科技股份公司制造生产的PTFA092211EL晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
PTFA092211ELV4XWSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
940MHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 输出：
220W
- 封装/外壳：
H-33288-2
- 供应商器件封装：
H-33288-2
- 描述：
FET RF LDMOS 220W H33288-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
H332882 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-33288-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
H-33288-2 |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
询价 | ||
INFINEON |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
10500 |
只有原装 低价 实单必成 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
469 |
现货供应 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
H-33288-2 |
20000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 |
