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PTF191601	文件：61.2 Kbytes Page：4 Pages	LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor160W,1930-1990MHz Description ThePTF191601isa160W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforGSMandEDGEapplicationsinthe1930to1990MHzband.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternalmatching •TypicalEDGEperformance -Averageo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
PTF191601E	文件：206.33 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-EnhnacedHighPowerRFLDMOSFETs160W,1930-1990MHz Description ThePTF191601EandPTF191601Fare160-watt,internally-matchedGOLDMOSFETsintendedforGSMEDGEandCDMAapplicationsinthe1930to1990MHzband.Thermally-enhancedpackagingprovidesthecoolestoperationavailable.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandre	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
PTF191601E	文件：61.2 Kbytes Page：4 Pages	LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor160W,1930-1990MHz Description ThePTF191601isa160W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforGSMandEDGEapplicationsinthe1930to1990MHzband.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternalmatching •TypicalEDGEperformance -Averageo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
PTF191601F	文件：206.33 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-EnhnacedHighPowerRFLDMOSFETs160W,1930-1990MHz Description ThePTF191601EandPTF191601Fare160-watt,internally-matchedGOLDMOSFETsintendedforGSMEDGEandCDMAapplicationsinthe1930to1990MHzband.Thermally-enhancedpackagingprovidesthecoolestoperationavailable.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandre	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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