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PT6508B	文件：241.53 Kbytes Page：10 Pages	Small SIP Footprint	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
6508A	文件：65.129 Kbytes Page：2 Pages	IsolatedDiodeArraywithHiRelMQ,MX,MV,andSPScreeningOptions	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
AON6508	文件：295.92 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelAlphaMOS GeneralDescription •LatestTrenchPowerAlphaMOS(αMOSLV)technology •VeryLowRDS(on)at4.5VGS •LowGateCharge •HighCurrentCapability •RoHSandHalogen-FreeCompliant ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP6508	文件：999.84 Kbytes Page：14 Pages	500kHz21V3ASYNCHRONOUSDC/DCBUCKCONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AP6508FE	文件：999.84 Kbytes Page：14 Pages	500kHz21V3ASYNCHRONOUSDC/DCBUCKCONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
C6508A	文件：74.59 Kbytes Page：1 Pages	20C287/36TCPVCOASPVCCOMMUNICATIONCABLE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
HM-6508	文件：234.23 Kbytes Page：9 Pages	1024x1CMOSRAM Description TheHM-6508isa1024x1staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Synchronouscircuitdesigntechniquesareemployedtoachievehighperformanceandlowpoweroperation. Features •LowPowerStandby....................50µWMax •L	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
MAX6508	文件：241.83 Kbytes Page：12 Pages	DualTripSOTTemperatureSwitches	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6508UT	文件：256.019 Kbytes Page：10 Pages	DualTripSOTTemperatureSwitchesNoExternalComponentsRequired	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MP6508	文件：1.08148 Mbytes Page：15 Pages	2.7V-to-18V,1.2A,BipolarStepperMotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6508GF	文件：1.08148 Mbytes Page：15 Pages	2.7V-to-18V,1.2A,BipolarStepperMotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6508GR	文件：1.08148 Mbytes Page：15 Pages	2.7V-to-18V,1.2A,BipolarStepperMotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MTD6508	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MTD6508-ADJE/JQ	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MTD6508T-E/NA	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
N6508NZ	文件：448.96 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET650V,9.5A,0.85 Description TheN6508NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=0.85MAX.(VGS=10V,ID=4.75A) Lowinputcapacitance Ciss=2160pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) Highcurrent ID(DC)=±9	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NTE6508	文件：37.57 Kbytes Page：4 Pages	IntegratedCircuitCMOS,1KStaticRAM(SRAM) Description: TheNTE6508isa1024x1fullystaticCMOSRAMina16–LeadDIPtypepackagefabricatedusingself–alignedsilicongatetechnology.Synchronouscircuitdesigntechniquesareemployedtoacheivehighperformanceandlowpoweroperation.Onchiplatchesareprovidedforaddressallowi	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
NX6508	文件：332.22 Kbytes Page：4 Pages	NECsInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR2.5Gb/s,CWDMAPPLICATIONS	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX6508	文件：258.43 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1470TO1610nmFOR2.5Gb/s,CWDM InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6508Seriesisa1470to1610nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. Thesedevicesareidealfor2.5Gb/sCWDMapplication. FEATURES •	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6508-AZ	文件：332.22 Kbytes Page：4 Pages	NECsInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR2.5Gb/s,CWDMAPPLICATIONS	CEL California Eastern Laboratories	CEL

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更多PT6508B供应商更新时间2024-6-17 11:16:00

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