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5540	文件：1.5571 Mbytes Page：8 Pages	ABLEITSTROM-MESSGER횆TE	ASM-SENSOR ASM GmbH	ASM-SENSOR
APT5540AN	文件：309.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT5540BN	文件：360.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PT5540	文件：195.94 Kbytes Page：8 Pages	12-W5-VInputStep-Up(Boost)IntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT5540	文件：199.04 Kbytes Page：9 Pages	Under-VoltageLockout	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
RF5540	文件：594.4 Kbytes Page：7 Pages	4.9GHzTO5.85GHzSWITCHANDLNAFRONTENDSOLUTION	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

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