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PR6001-T	文件：95.32 Kbytes Page：3 Pages	6.0A FAST RECOVERY RECTIFIER Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR6001-T	文件：97.78 Kbytes Page：3 Pages	6.0A FAST RECOVERY RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR6001-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：R-6，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 50V 6A R6	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
RF6001	文件：1.06158 Mbytes Page：70 Pages	FRACTIONAL-NRFSYNTHESIZERWITHMODULATORANDDIGITALIFFILTER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF6001	文件：45.92 Kbytes Page：2 Pages	FRACTIONAL-NRFSYNTHESIZERWITHMODULATORANDDIGITALIFFILTERPartofthePOLARISTMTOTALRADIOTMSolution	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF6001	文件：35.55 Kbytes Page：2 Pages	FRACTIONAL-NRFSYNTHESIZERWITHMODULATORANDDIGITALIFFILTER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF6001PCBA	文件：35.55 Kbytes Page：2 Pages	FRACTIONAL-NRFSYNTHESIZERWITHMODULATORANDDIGITALIFFILTER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RN6001	文件：90.9 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) MotorDriveCircuitApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess •Smallflatpackage •PC=1~2W(mountedonceramicsubstrate) •ComplementarytoRN50	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RX6001	文件：89.95 Kbytes Page：10 Pages	868.35MHzHybridReceiver	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
S6001L	文件：1.60012 Mbytes Page：12 Pages	SCRs1-70AMPSNON-SENSITIVEGATE Features ●ElectricallyIsolatedPackages ●HighVoltageCapability-30-600Volts ●HighSurgeCapability-upto950Amps ●GlassPassivatedChip	Teccor Teccor Electronics	Teccor

产品属性

产品编号：
PR6001-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
6A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
140pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
R-6，轴向
供应商器件封装：
R-6
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 6A R6

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