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PZT2222	文件：126.77 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistors NPNSiliconSwitchingTransistors ●HighDCcurrentgain:0.1mAto500mA ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:PZT2907(PNP) PZT2907A(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
PZT2222	文件：109.37 Kbytes Page：2 Pages	SufaceMountSi-EpitaxialPlanarSwitchingTransistors Powerdissipation1.3W PlasticcaseSOT-223 Weightapprox.0.04g PlasticmaterialhasULclassification94V-0 Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
PZT2222A	文件：46.69 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Switchingandlinearamplification. DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT223plasticpackage. PNPcomplement:PZT2907A.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZT2222A	文件：126.77 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistors NPNSiliconSwitchingTransistors ●HighDCcurrentgain:0.1mAto500mA ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:PZT2907(PNP) PZT2907A(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
PZT2222A	文件：113.81 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT2222A	文件：211.6 Kbytes Page：8 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT2222A	文件：108.3 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
PZT2222A	文件：182.41 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
PN2222ABU_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PN2222ABU_Q供应商更新时间2025-6-16 14:04:00

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