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PMN50XP	文件：271.58 Kbytes Page：12 Pages	P-channel TrenchMOS extremely low level FET 1.1Generaldescription ExtremelylowlevelP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackage.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing, communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Features 1.3Applications Lowon-statelosse	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN50XP	文件：79.73 Kbytes Page：12 Pages	P-channel TrenchMOS extremely low level FET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PMN50XP

文件：271.58 Kbytes

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P-channel TrenchMOS extremely low level FET

1.1Generaldescription ExtremelylowlevelP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackage.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing, communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Features 1.3Applications Lowon-statelosse

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PMN50XP

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P-channel TrenchMOS extremely low level FET

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

PMN50XP

文件：1.00082 Mbytes

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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
PMN50XP
功能描述：
MOSFET TRENCH 30V G3-TAPE2 REVERSE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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详细参数

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