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PMN40UPE	文件：446.38 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：446.38 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PMN40UPE	文件：323.2 Kbytes Page：15 Pages	丝印：WD；Package：TSOP6；20 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：323.2 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN40UPE_15	文件：206.88 Kbytes Page：14 Pages	20 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：206.88 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PMN40UPEA_15	文件：282 Kbytes Page：16 Pages	20 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：282 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
PMN40UPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, single P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	Nexperia 安世	Nexperia
PMN40UPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, single P-channel Trench MOSFET	恩XP	恩XP
PMN40UPEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	PMN40UPEA - 20 V, single P-channel Trench MOSFET 20 V, single P-channel Trench MOSFET - P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·Low threshold voltage\n·Fast switching\n·Trench MOSFET technology\n·4 kV ESD protection\n·AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT457
Package name：
TSOP6
Product status：
Production
Channel type：
P
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
-20
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
43
R_DSon [max] @ V_GS = 2.5 V (mΩ)：
55
I_D [max] (A)：
-6
Q_GD [typ] (nC)：
2.8
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
15.6
P_tot [max] (W)：
0.5
V_GSth [typ] (V)：
-0.7
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
1820
C_oss [typ] (pF)：
207
Date：
2014-06-20

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