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PMN30XP	文件：738.1 Kbytes Page：16 Pages	丝印：3A；Package：TSOP6；20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：738.1 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN30XPA	文件：290.91 Kbytes Page：15 Pages	丝印：3T；Package：SC-74；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Very fast swit 文件：290.91 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN30XPEA	文件：304.34 Kbytes Page：15 Pages	丝印：J7；Package：SC-74；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Very fast swit 文件：304.34 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN30XP	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Enhanced power dissipation capability of 1400 mW;	Nexperia 安世	Nexperia
PMN30XPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n• Enhanced power dissipation capability of 1390 mW;	Nexperia 安世	Nexperia
PMN30XPEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	PMN30XPEA - 20V, P-channel Trench MOSFET 20V, P-channel Trench MOSFET - P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·Trench MOSFET technology\n·Very fast switching\n·ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n·Enhanced power dissipation capability of 1390 mW\n·AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TSOP6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
34
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
44
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-6.8
QGD [typ] (nC)：
4
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
14.999999
Ptot [max] (W)：
0.55
VGSth [typ] (V)：
-0.68
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1575
Coss [typ] (pF)：
145
Release date：
2016-02-23

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