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PMN30UN	文件：755.81 Kbytes Page：16 Pages	丝印：H2；Package：TSOP6；30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：755.81 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN30UNE	文件：732.66 Kbytes Page：16 Pages	丝印：G8；Package：TSOP6；20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：732.66 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN30UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Enhanced power dissipation capability of 1240 mW;	Nexperia 安世	Nexperia
PMN30UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Enhanced power dissipation capability of 1240 mW\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TSOP6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
40
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
52
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
5.7
QGD [typ] (nC)：
1.7
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
7
Ptot [max] (W)：
0.53
VGSth [typ] (V)：
0.65
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
635
Coss [typ] (pF)：
40
Release date：
2016-01-29

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更多PMN30UN供应商更新时间2025-10-7 14:01:00

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