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PMMT591	文件：42.68 Kbytes Page：8 Pages	PNP BISS transistor DESCRIPTION PNPBISS(BreakthroughInSmallSignal)transistorinaSOT23plasticpackage.NPNcomplement:PMMT491A. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowcollector-emittersaturationvoltageensuresreducedpowerconsumption. APPLICATIONS •Batterypoweredunitswherehighcurrentandlo	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMMT591A	文件：42.68 Kbytes Page：8 Pages	PNP BISS transistor DESCRIPTION PNPBISS(BreakthroughInSmallSignal)transistorinaSOT23plasticpackage.NPNcomplement:PMMT491A. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowcollector-emittersaturationvoltageensuresreducedpowerconsumption. APPLICATIONS •Batterypoweredunitswherehighcurrentandlo	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMMT591A	文件：317.77 Kbytes Page：8 Pages	Marking：9B；Package：SOT23；PNP BISS transistor FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowcollector-emittersaturationvoltageensuresreducedpowerconsumption. APPLICATIONS •Batterypoweredunitswherehighcurrentandlowpowerconsumptionareimportant. DESCRIPTION PNPBISS(BreakthroughInSmallSignal)transistorinaSOT23plastic	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMMT591A_15	文件：127.39 Kbytes Page：7 Pages	PNP BISS transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMMT591A,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 1A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PMMT591A,235	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 1A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

详细参数

型号：
PMMT591
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-11
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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