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PMDPB70EN

30 V, dual N-channel Trench MOSFET

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Nexperia

安世

PMDPB70EN

丝印:1M;Package:DFN2020-6;30 V, dual N-channel Trench MOSFET

文件:983.49 Kbytes 页数:16 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

PMEG100V100ELPD

NEXPERIA
原厂

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安世安世半导体(中国)有限公司

上传:深圳市世正电子有限公司

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