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PMDPB28UN | 20 V, dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. | Nexperia 安世 | Nexperia | |
PMDPB28UN | 丝印:1P;Package:DFN2020-6;20 V, dual N-channel Trench MOSFET 文件:970.82 Kbytes 页数:16 Pages | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | |
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 | 恩XP 恩智浦 | 恩XP | ||
NEXPERIA | NEXPERIA | |||
NXP | 恩XP 上传:亚泰电子科技有限公司 | 恩XP |
技术参数
- FET 功能:
逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):
20V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
4.6A
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
37 毫欧 @ 4.6A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
1V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
4.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
265pF @ 10V
- 功率 - 最大值:
510mW
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
6-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
DFN2020-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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恩XP |
2019+PB |
DFN2020-6 |
12500 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
DFN2020-6 |
42155 |
NEXPERIA/安世全新特价PMDPB28UN即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
恩XP |
19+ |
DFN2020-6 |
200000 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
DFN2020-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SON6 |
467151 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
恩XP |
1213+ |
SON6 |
250 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
DFN2020-6 |
36570 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
SON6 |
2750 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
24046 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SON6 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 |
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