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RN1723	文件：306.6 Kbytes Page：32 Pages	2.4GHzIEEEStd.802.11b/gWirelessLANModule	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TEA1723AT	文件：252.4 Kbytes Page：14 Pages	HVstart-upflybackcontrollerwithintegratedMOSFETfor11Wapplications,430Hzburstfrequency	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TEA1723BT	文件：252.9 Kbytes Page：14 Pages	HVstart-upflybackcontrollerwithintegratedMOSFETfor11Wapplications,905Hzburstfrequency	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TEA1723DT	文件：252.03 Kbytes Page：14 Pages	HVstart-upflybackcontrollerwithintegratedMOSFETfor11Wapplications,1270Hzburstfrequency	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TEA1723FT	文件：252.53 Kbytes Page：14 Pages	HVstart-upflybackcontrollerwithintegratedMOSFETfor11Wapplications,1750Hzburstfrequency	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TM1723	文件：519.72 Kbytes Page：20 Pages	LCDDrivercontrolcircuit	PTHShenzhen Putianhe Technology Co., Ltd 普天和深圳市普天和科技公司	PTH
TZ1723A	文件：361 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD5.0x3.212.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount5.0mmx3.2mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UP1723	文件：268.01 Kbytes Page：16 Pages	2A,18V,High-EfficiencySynchronous-RectifiedBuckConverter	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UP1723PRUA	文件：268.01 Kbytes Page：16 Pages	2A,18V,High-EfficiencySynchronous-RectifiedBuckConverter	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UPA1723	文件：64.42 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1723isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1723	文件：228.77 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.0A) •LowCiss:Ciss=3800pFTYP. •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1723G	文件：228.77 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.0A) •LowCiss:Ciss=3800pFTYP. •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1723G	文件：64.42 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1723isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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