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PMBD354分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

PMBD354
厂商型号

PMBD354

参数属性

PMBD354 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB

功能描述

RF Manual 16th edition

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

9.37507 Mbytes

页面数量

130

生产厂商 未知制造商
企业简称

恩XP

中文名称

未知制造商

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更新时间

2025-6-29 23:00:00

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PMBD354规格书详情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

产品属性

  • 产品编号:

    PMBD354,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    肖特基 - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    4V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    100°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
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