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PJE8406	文件：418.89 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4Ω  RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7Ω  RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2Ω(typ)  Advanced Trench Process Technology  Specially Designed for Load Switch or PWM application.  ESD Protected  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding co 文件：418.89 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJE8406	文件：301.37 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET . ESD Protected 文件：301.37 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJE8406	文件：300 bytes Page：1 Pages	LV MOSFET	Panjit 強茂	Panjit
PJE8406_R1_00001	文件：418.89 Kbytes Page：6 Pages	丝印：E06；Package：SOT-523；20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4Ω  RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7Ω  RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2Ω(typ)  Advanced Trench Process Technology  Specially Designed for Load Switch or PWM application.  ESD Protected  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding co 文件：418.89 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJE8406_V01	文件：418.89 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4Ω  RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7Ω  RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2Ω(typ)  Advanced Trench Process Technology  Specially Designed for Load Switch or PWM application.  ESD Protected  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding co 文件：418.89 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJE8406_R1_00001	文件：301.37 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET . ESD Protected 文件：301.37 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

技术参数

ESD：
Y
Polarity：
N
Config.：
Single
VDS[V]：
20
VGS[±V]：
12
ID[A]：
0.8
RDS(on) Max. (mΩ)[4.5V]：
400
RDS(on) Max. (mΩ)[2.5V]：
700
RDS(on) Max. (mΩ)[1.8V]：
1200
Ciss Typ.[pF]：
50
VGS(th) Max.[V]：
1
Qg Typ. (nC)[4.5V]：
0.92
Package：
SOT-523

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更多PJE8406供应商更新时间2025-10-4 9:05:00

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