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PJA3419	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (20 - 40V , RDS(ON) < 1Ω)	Panjit 強茂	Panjit
PJA3419AE	文件：412.7 Kbytes Page：6 Pages	20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-4A 文件：412.7 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJA3419AE_R1_00001	文件：412.7 Kbytes Page：6 Pages	丝印：9AE；Package：SOT-23；20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-4A 文件：412.7 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJA3419AE-AU	文件：413.06 Kbytes Page：6 Pages	20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-4A 文件：413.06 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJA3419AE-AU_R1_000A1	文件：413.06 Kbytes Page：6 Pages	丝印：9AE；Package：SOT-23；20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-4A 文件：413.06 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJA3419E	文件：406.52 Kbytes Page：6 Pages	20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET– ESD Protected Features ● RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3.3A 文件：406.52 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJA3419E_R1_00701	文件：406.52 Kbytes Page：6 Pages	丝印：19E；Package：SOT-23；20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET– ESD Protected Features ● RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3.3A 文件：406.52 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJA3419AE-AU	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (20 - 40V , RDS(ON) < 1Ω)	Panjit 強茂	Panjit
PJA3419-AU	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (20 - 40V , RDS(ON) < 1Ω)	Panjit 強茂	Panjit

技术参数

ESD：
Y
Polarity：
P
Config.：
Single
VDS[V]：
-20
VGS[±V]：
12
ID[A]：
-4
RDS(on) Max. (mΩ)[10V]：
60
RDS(on) Max. (mΩ)[4.5V]：
70
RDS(on) Max. (mΩ)[2.5V]：
96
RDS(on) Max. (mΩ)[1.8V]：
180
Ciss Typ.[pF]：
602
VGS(th) Max.[V]：
-1.2
Qg Typ. (nC)[4.5V]：
6.9
Package：
SOT-23

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