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BAP63-02

SiliconPINdiode

Features ●HighspeedswitchingforRFsignals ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Verylowseriesinductance. ●Forapplicationsupto3GHz.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

BAP63-02

SiliconPINdiode

DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES •HighspeedswitchingforRFsignals •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Verylowseriesinductance •Forapplicationsupto3GHz. APPLICATIONS •RFattenuatorsandswitches.

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BAR63-02L

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BAR63-02L

SiliconPINDiodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

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BAR63-02L

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BAR63-02V

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