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1N52	文件：48.27 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES 1N52SERIESZENERDIODES 1N5221BThrough1N5272BELECTRICALCHARACTERISTICS (TA=25°C)unlessotherwisenoted.Basedondcmeasurementsatthermalequillibrium;leadlength=3/8”;thermalresistanceofheatsink=30°C/WVFmax=1.1V@IF=200mAforalltypes(TA=25°CVFmax=1.1V@IF=200mA)	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N52	文件：121.29 Kbytes Page：2 Pages	Highstabilityandhighreliability Features •Lowreverseleakage •Lowzenerimpedance •Maximumpowerdissipationof500mW •Highstabilityandhighreliability •LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
1N52	文件：316.83 Kbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES FEATURE ♦Lowzenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Glasspassivatedjunction ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10S/9.5mmleadlengthat5lbstension	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N52	文件：285.91 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes ■Features ●Ptot500mW ●Vz2.4V-68V ■Applications ●StabilizingVoltage	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1N52	文件：794.74 Kbytes Page：3 Pages	Lowzenerimpedance FEATURE ♦Lowzenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Glasspassivatedjunction ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10S/9.5mmleadlengthat5lbstension	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
1N52	文件：316.04 Kbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES FEATURE ♦Lowzenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Glasspassivatedjunction ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10S/9.5mmleadlengthat5lbstension	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
1N52	文件：44.38 Kbytes Page：1 Pages	GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE FEATURES Lowforwardvoltagedrop—lowpowerconsumption Thirtyyearsofprovenreliability—onemillionhoursmeantimebetweenfailures(MTBF) Verylownoiselevel Metallurgical^bonded	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N52A	文件：44.61 Kbytes Page：1 Pages	GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N52-SERIES	文件：1.65687 Mbytes Page：6 Pages	DO-35Glass-EncapsulateDiodes	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
1N52XX	文件：571.61 Kbytes Page：6 Pages	SILICONZENERDIODES	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司	HORNBY

详细参数

型号：
PHT1N52R
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 520V V(BR)DSS | 460MA I(D) | SOT-223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	PHT1N52S	PHI	24+	SOT-223	5000		询价
深圳市华来深电子有限公司	PHT1N52S	恩XP	23+	SOT-223	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	PHT1N52S	PHI	08+		5000	普通	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	PHT1N52S	PHI	2022+		5000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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深圳市金芯世纪电子有限公司	PHT1N52S	PHI	22+	SOT-223	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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更多PHT1N52R供应商更新时间2025-6-16 15:30:00

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